IRLL024NTRPBF, Транзистор полевой N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223

Транзистор полевой N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт

irll024npbf pdf, 145,2 кБ

Код товара: 204652

Дата обновления: 27.04.2024 00:10

Цена от: 38,84 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка IRLL024NTRPBF , Транзистор полевой N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

SOT-223
Тип упаковки

Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка

2500 шт
Вес брутто

0.37 г.
Напряжение исток-сток макс.

55В
Ток стока макс.

3.1A
Сопротивление открытого канала

65 мОм
Мощность макс.

1Вт
Тип транзистора

N-канал
Особенности

Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.

2В
Заряд затвора

15.6нКл
Входная емкость

510пФ
Тип монтажа

Surface Mount

Описание IRLL024NTRPBF

The IRLL024NTRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.

• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Logic level

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	4.4 A
Тип корпуса	SOT-223
Максимальное рассеяние мощности	2.1 W
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	3.7мм
Высота	1.739мм
Размеры	6.7 x 3.7 x 1.739мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	6.7мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	7,4 нс
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	18 нс
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Максимальное сопротивление сток-исток	100 мОм
Максимальное напряжение сток-исток	55 В
Число контактов	3+Tab
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	10,4 нКл при 5 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	510 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-16 V, +16 V
Вес, г	0.39

Полные аналоги

Наименование

Наличие

Цена от

Производитель

Корпус
IRLL024NPBF MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube

Сообщить о поступлении

INF

SOT-223

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← IRLL014TRPBF IRLL024ZPBF →