IRLR110PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3А 25Вт
Цена от:
48,88 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 23+ 45+ 75+ 225+54,12 ₽ 53,31 ₽ 52,26 ₽ 50,85 ₽ 48,88 ₽Срок:В наличииНаличие:724Минимум:6Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 23+ 45+ 75+ 225+54,12 ₽ 53,31 ₽ 52,26 ₽ 50,85 ₽ 48,88 ₽Срок:В наличииНаличие:14Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
18+81,97 ₽Срок:7 днейНаличие:20Минимум:Мин: 18Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRLR110PBF
The IRLR110PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The DPAK is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Surface-mount
• Logic-level gate drive
• RDS (ON) Specified at VGS = 4 and 5V
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.54 ом при 2.6a, 5в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
| Крутизна характеристики, S | 2.3 |
| Корпус | dpak |
| Пороговое напряжение на затворе | 2 |
| Вес, г | 0.4 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Способы доставки в Калининград
Доставка IRLR110PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3А 25Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 335 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2363 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара