IRLR110PBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 4.3А 25Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Транзистор полевой N-канальный 100В 4.3А 25Вт
Транзистор полевой N-канальный 100В 4.3А 25Вт
Производитель:
Vishay
Артикул:
IRLR110PBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусDPAK/TO-252AA
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка75 шт
-
Вес брутто0.6 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRLR110PBF
The IRLR110PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The DPAK is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Surface-mount
• Logic-level gate drive
• RDS (ON) Specified at VGS = 4 and 5V
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.54 ом при 2.6a, 5в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
| Крутизна характеристики, S | 2.3 |
| Корпус | dpak |
| Пороговое напряжение на затворе | 2 |
| Вес, г | 0.4 |
Полные аналоги
-
IRLR110TRLPBF MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAKVISHAYDPAK/TO-252AA
-
IRLR110TRPBF MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAKVISHAYDPAK/TO-252AA
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара