Одиночные MOSFET транзисторы

21
Входная емкость: 250пФ
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (21)
BSP250,115 BSP250,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
1.65Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
529 шт

Внешние склады:
2 030 шт
Цена от:
от 38,46
Акция
IPP80R1K4P7XKSA1 IPP80R1K4P7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
32Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
108 шт

Внешние склады:
500 шт
Цена от:
от 25,62
-7%
IRL510PBF IRL510PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.6А 43Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.1нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
566 шт

Внешние склады:
603 шт
Цена от:
от 48,30
-8% Акция
IRLL110TRPBF IRLL110TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 2Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.1нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 044 шт

Внешние склады:
10 241 шт
Цена от:
от 21,30
-8% Акция
IRLR110PBF IRLR110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3А 25Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.1нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
758 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 44,04
-8% Акция
NTR4503NT1G NTR4503NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.73Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
420мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
317 шт

Внешние склады:
4 832 шт
Цена от:
от 2,76
FDD7N20TM FDD7N20TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
690 мОм
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.7нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 41,76
FQT5P10TF FQT5P10TF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
1.05 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 32,76
IPU80R4K5P7AKMA1 IPU80R4K5P7AKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
4нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 500 шт
Цена от:
от 39,90
IRLD110PBF IRLD110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.1нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 94,38
NDT3055 NDT3055 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Цена от:
от 38,46
BSP250,135 BSP250,135 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
1.65Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 559 шт
Цена от:
от 38,46
FDD6N25TM FDD6N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 4.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
1.1 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD5P10TM FQD5P10TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
1.05 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQP3P20 FQP3P20 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 2.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
2.7 Ом
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQT2P25TF FQT2P25TF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 0.55A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
550мА
Сопротивление открытого канала:
4 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT3P20TF FQT3P20TF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.67A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
670мА
Сопротивление открытого канала:
2.7 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT7N10TF FQT7N10TF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.5нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IPU80R1K4P7AKMA1 IPU80R1K4P7AKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
32Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
10.05нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
150 шт
Цена от:
от 33,48
IRLR110TRLPBF IRLR110TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.1нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
778 шт
Цена от:
от 31,51
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"