8 800 1000 321 - контакт центр

MJD117G, Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт

  • MJD117G

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт

Документация

DataSheet
Код товара: 219127
Дата обновления: 17.10.2018 20:30
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 450 шт: 16.950 руб.
от 225 шт: 18.150 руб.
от 150 шт: 19.960 руб.
от 54 шт: 22.900 руб.
от 1 шт: 25.870 руб.
470 штНа складе1 шт.8 шт.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 1 050 шт: 15.285 руб.
1 125 шт.10 дн.75 шт.1 050 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
DPAK/TO252
Нормоупаковка
75 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Вес нетто
0.66 г
Тип транзистора
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
100 В
Ток коллектора Макс.
2 А
Мощность Макс.
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE
1000
Граничная частота
25 МГц
Напряжение насыщения КЭ
3 В
Тип монтажа
Поверхностный

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
20 шт.
Интернет-магазин
1595 шт.

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
MJD117T4
STMDPAK/TO25216.0124511.7310178
MJD117T4G
ONSDPAK-30.00014.31110000

C этим товаром покупают:

Транзисторы
MJD112G
Цена от
15.21 руб.

Поделиться:
сообщение об ошибке