8 800 1000 321 - контакт центр

MJD117G, Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт   

  • MJD117G

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт

Документация

DataSheet
Код товара: 219127
Дата обновления: 21.01.2018 23:00
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 1 шт: 23.95 руб.
от 25 шт: 17.96 руб.
от 75 шт: 15.50 руб.
501 шт 1 день1 шт.3 шт.
Розничный магазин: 20 шт.
Удаленные склады
Склад №313.70 руб.3300 шт.10 дн.75 шт.1050 шт.
Склад №1615.75 руб.2397 шт.3 дн.1 шт.201 шт.
Склад №6515.99 руб.1875 шт.15 дн.75 шт.600 шт.
Склад №514.18 руб.900 шт.15 дн.75 шт.675 шт.
Склад №7425.58 руб.30 шт.3 дн.1 шт.21 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
DPAK/TO252
Нормоупаковка
75 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Вес нетто
0.66 г
Тип транзистора
PNP, составной
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
100 В
Ток коллектора Макс.
2 А
Мощность Макс.
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE
1000
Граничная частота
25 МГц
Напряжение насыщения КЭ
3 В
Тип монтажа
Поверхностный

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
MJD117T4
STMDPAK/TO25211.0825712.7812884
MJD117T4G
ONSDPAK-30.00010.8462500

C этим товаром покупают:

Транзисторы
MJD112G
Цена от
15.81 руб.

Поделиться:
сообщение об ошибке