MJD117G, Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт

Код товара: 219127

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MJD117G
Производитель:
Описание Eng:
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
75 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000

Технические параметры

Тип транзистора

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.

100 В

Ток коллектора Макс.

2 А

Мощность Макс.

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE

1000

Тип монтажа

Поверхностный

Граничная частота

25 МГц

Корпус

DPAK/TO-252AA

Вес брутто

0.61 г.

Описание MJD117G

Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

MJD117T4 Полный аналог Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт Производитель: ST Microelectronics
Наличие:
1 960 шт

Под заказ:
2 273 шт
Цена от:
от 34,86
Акция
MJD117T4G Полный аналог Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Калининград

Доставка MJD117G , Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 329
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304
EMS
от 5 раб. дней
от 1548
Почта России
от 12 раб. дней
от 720
СДЭК
от 4 раб. дней
от 743
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.