MJD117T4G, Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Код товара: 219129

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MJD117T4G
Производитель:
Описание Eng:
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
PNP, составной
Напряжение КЭ Макс.:
100 В
Ток коллектора Макс.:
2 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
1000
Показать аналоги

Технические параметры

Тип транзистора

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.

100 В

Ток коллектора Макс.

2 А

Мощность Макс.

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE

1000

Тип монтажа

Поверхностный

Граничная частота

25 МГц

Корпус

DPAK-3

Вес брутто

0.42 г.

Описание MJD117T4G

Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

Акция
MJD117T4 Полный аналог Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт Производитель: ST Microelectronics
Наличие:
950 шт

Под заказ:
2 273 шт
Цена от:
от 31,84
MJD117G Полный аналог Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Под заказ:
1 875 шт
Цена от:
от 52,80

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка MJD117T4G , Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.