8 800 1000 321 - контакт центр
  • NGD8201ANT4G

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

Bipolar transistor IGBT, 375 V, 20 A, 125 W

Биполярный транзистор IGBT, 375 В, 20 А, 125 Вт

Документация

DataSheet
Код товара: 224023
Дата обновления: 20.08.2018 03:30
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 76 шт: 122.050 руб.
от 38 шт: 127.380 руб.
от 19 шт: 134.940 руб.
от 10 шт: 147.800 руб.
от 1 шт: 160.670 руб.
72 шт 1 день1 шт.2 шт.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 131 шт: 130.751 руб.
от 33 шт: 134.253 руб.
от 4 шт: 140.089 руб.
400 шт.7 дн.1 шт.4 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
DPAK/TO252
Нормоупаковка
2500 шт.
Тип упаковки
Туба/Лента
Вес нетто
0.66 г
Макс. напр. коллектор-эмиттер
440 В
Макс. ток коллектора
20 А
Импульсный ток коллектора макс.
50 А
Напр. насыщения К-Э макс.
1.9 В
Макс. рассеиваемая мощность
125 Вт
Время задержки вкл./выкл.
-/5 мкс

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
29 шт.
Интернет-магазин
472 шт.

Поделиться:
сообщение об ошибке