NGTB40N65FL2WG, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 366 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NGTB40N65FL2WG
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 650V 80A 366W TO247
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-247
Цена от:
547,14 руб.
Нет в наличии
Описание NGTB40N65FL2WG
IGBT Discretes, ON Semiconductor Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
| Brand | onsemi |
|---|---|
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 80 A |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 650 В |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Максимальное рассеяние мощности | 366 Вт |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Тип канала | N |
| Число контактов | 3 |
| Скорость переключения | 1МГц |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Размеры | 16.26 x 5.3 x 21.08мм |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NGTB40N65FL2WG , Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 366 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2175 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара