RFD16N06LESM9A, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A

Код товара: 230156

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
RFD16N06LESM9A
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

60В

Ток стока макс.

16A

Сопротивление открытого канала

47 мОм

Мощность макс.

90Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

62нКл

Входная емкость

1350пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

DPAK/TO-252AA

Вес брутто

0.605 г.

Описание RFD16N06LESM9A

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка RFD16N06LESM9A , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.