SI1012CR-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 630мА

Код товара: 232142

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI1012CR-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 20V 630MA SC-75A
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SC-75A
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
630мА
Сопротивление открытого канала:
396 мОм
Мощность макс.:
240мВт
Тип транзистора:
N-канальный

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

20В

Ток стока макс.

630мА

Сопротивление открытого канала

396 мОм

Мощность макс.

240мВт

Тип транзистора

N-канальный

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

2нКл

Входная емкость

43пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SC-75A

Описание SI1012CR-T1-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 630мА

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка SI1012CR-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 630мА в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 345
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304
EMS
от 5 раб. дней
от 1548
Почта России
от 17 раб. дней
от 720
СДЭК
от 4 раб. дней
от 743
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.