SI2302CDS-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Транзистор полевой N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт
Транзистор полевой N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт
Производитель:
Vishay
Артикул:
SI2302CDS-T1-GE3
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOT-23
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.04 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Тип монтажа
Описание SI2302CDS-T1-GE3
The SI2302CDS-T1-GE3 is a 20V N-channel TrenchFET® power MOSFET for use in load switching for portable devices.
• ±8V Gate to source voltage
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Process Technology | TrenchFET |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 0.85 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.6 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum IDSS (uA) | 0.1 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 57@4.5V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 3.5@4.5V |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 0.45 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 0.6 |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 2 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 40 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 710 |
| Typical Fall Time (ns) | 7 |
| Typical Rise Time (ns) | 7 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 1.02(Max) |
| Package Length | 3.04(Max) |
| Package Width | 1.4(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.05 |
Полные аналоги
-
SI2302CDS-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23VISHAYSOT-23-3L
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара