SI2302CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SI2302CDS-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
В упаковке:
3000 шт
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
57 мОм
Мощность макс.:
710мВт
Тип транзистора:
N-канал
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образец
Цена от:
7,70 ₽
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 489+ 977+ 1954+ 6000+11,34 ₽ 10,02 ₽ 9,00 ₽ 8,30 ₽ 7,70 ₽Срок:В наличииНаличие:6 557Минимум:27Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 489+ 977+ 1954+ 6000+11,34 ₽ 10,02 ₽ 9,00 ₽ 8,30 ₽ 7,70 ₽Срок:В наличииНаличие:50Минимум:5Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Показать аналоги
Технические параметры
Описание SI2302CDS-T1-GE3
The SI2302CDS-T1-GE3 is a 20V N-channel TrenchFET® power MOSFET for use in load switching for portable devices.
• ±8V Gate to source voltage
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Process Technology | TrenchFET |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 0.85 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.6 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum IDSS (uA) | 0.1 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 57@4.5V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 3.5@4.5V |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 0.45 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 0.6 |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 2 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 40 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 710 |
| Typical Fall Time (ns) | 7 |
| Typical Rise Time (ns) | 7 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 1.02(Max) |
| Package Length | 3.04(Max) |
| Package Width | 1.4(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.05 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Аналоги и возможные замены
Наличие:
3 018 шт
Под заказ:
2 302 шт
Цена от:
от 19,96₽
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SI2302CDS-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 255 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара