Одиночные MOSFET транзисторы

24
Ток стока макс.: 2.6A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (24)
-8% Акция
AO3403 AO3403 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.6A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
130 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
5.3нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
9 273 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
9 302 шт
Цена от:
от 4,32
-8% Акция
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.6A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.6A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Наличие:
410 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 34,14
-8% Акция
FDN306P FDN306P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2,6А 0.04 Ом, 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
1138пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
875 шт

Внешние склады:
3 834 шт
Цена от:
от 11,34
-8% Акция
IPN60R3K4CEATMA1 IPN60R3K4CEATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.6A SOT-223-3, CoolMOS
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-SOT223-4
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.6A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
944 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 19,98
-8% Акция
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.6A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
185 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
420пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 666 шт

Внешние склады:
7 820 шт
Цена от:
от 23,82
IRLML2246TRPBF IRLML2246TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.6А 1.3Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
135 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
2.9нКл
Входная емкость:
220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
18 356 шт

Внешние склады:
17 900 шт
Аналоги:
47 509 шт
Цена от:
от 5,76
NTGS4111PT1G NTGS4111PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.6А 2Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
630мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 995 шт

Внешние склады:
3 183 шт
Цена от:
от 11,88
-8% Акция
NVF2955T1G NVF2955T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.6А 2.3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14.3нКл
Входная емкость:
492пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
471 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 49,50
-8% Акция
SI2302CDS-T1-E3 SI2302CDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3L
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
57 мОм
Мощность макс.:
710мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
850mВ
Заряд затвора:
5.5нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 278 шт

Внешние склады:
5 930 шт
Аналоги:
333 457 шт
Цена от:
от 13,74
-7%
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
57 мОм
Мощность макс.:
710мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
850mВ
Заряд затвора:
5.5нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 686 шт

Внешние склады:
330 771 шт
Аналоги:
8 208 шт
Цена от:
от 4,14
FDC3612 FDC3612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TSOT-23-6
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 37,56
IRFI720GPBF IRFI720GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
1.8 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
410пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 42,60
IRFR210TRPBF IRFR210TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 070 шт
Цена от:
от 27,72
IRFU210PBF IRFU210PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 094 шт
Цена от:
от 30,42
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.6A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
82 270 шт
Цена от:
от 5,58
ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26.9нКл
Входная емкость:
1055пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 661 шт
Цена от:
от 55,62
FDG332PZ FDG332PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10.8нКл
Входная емкость:
560пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFL4315PBF IRFL4315PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.6А 2.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
185 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
420пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
9 486 шт
Цена от:
от 23,82
IRFR210PBF IRFR210PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 070 шт
Цена от:
от 27,72
NCV8440ASTT1G NCV8440ASTT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 59В 2.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
59В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
1.69Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
4.5нКл
Входная емкость:
155пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"