SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3А 1.66Вт
Цена от:
15,62 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 88+ 175+ 350+ 699+23,12 ₽ 20,57 ₽ 18,56 ₽ 16,89 ₽ 15,62 ₽Срок:В наличииНаличие:2 961Минимум:13Количество в заказ
-
1+ 88+ 175+ 350+ 699+23,12 ₽ 20,57 ₽ 18,56 ₽ 16,89 ₽ 15,62 ₽Срок:В наличииНаличие:953Минимум:13Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 88+ 175+ 350+ 699+23,12 ₽ 20,57 ₽ 18,56 ₽ 16,89 ₽ 15,62 ₽Срок:В наличииНаличие:29Минимум:3Количество в заказ
Внешние склады
-
248+ 493+ 1400+22,88 ₽ 22,50 ₽ 21,17 ₽Срок:7 днейНаличие:1 400Минимум:Мин: 248Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание SI2308BDS-T1-GE3
The SI2308BDS-T1-GE3 is a N-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.
• 100% Rg Tested
• 100% UIS Tested
• ±20V Gate-source voltage
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.192 ом при 1.7a, 4.5в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.66 |
| Крутизна характеристики, S | 5 |
| Корпус | sot23 |
| Вес, г | 0.05 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SI2308BDS-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3А 1.66Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара