SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 60В 2.3А 1.66Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Транзистор полевой N-канальный 60В 2.3А 1.66Вт
Транзистор полевой N-канальный 60В 2.3А 1.66Вт
Производитель:
Vishay
Артикул:
SI2308BDS-T1-GE3
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOT23-3
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.03 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание SI2308BDS-T1-GE3
The SI2308BDS-T1-GE3 is a N-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.
• 100% Rg Tested
• 100% UIS Tested
• ±20V Gate-source voltage
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.192 ом при 1.7a, 4.5в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.66 |
| Крутизна характеристики, S | 5 |
| Корпус | sot23 |
| Вес, г | 0.05 |
Полные аналоги
-
SI2308BDS-T1-E3 MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3VISHAYSOT-23-3 (TO-236)
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара