SI2312BDS-T1-E3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A

Код товара: 232197

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI2312BDS-T1-E3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
N-канал
Показать аналоги

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

20В

Ток стока макс.

3.9A

Сопротивление открытого канала

31 мОм

Мощность макс.

750мВт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

850mВ

Заряд затвора

12нКл

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOT-23

Вес брутто

0.04 г.

Описание SI2312BDS-T1-E3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

Акция
SI2312BDS-T1-GE3 Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A Производитель: Vishay
Наличие:
6 038 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 16,02

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SI2312BDS-T1-E3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.