SI2312BDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SI2312BDS-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
В упаковке:
3000 шт
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
N-канал
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
17,62 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 53+ 106+ 211+ 421+21,06 ₽ 20,53 ₽ 19,80 ₽ 18,82 ₽ 17,62 ₽Срок:В наличииНаличие:5 538Минимум:15Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание SI2312BDS-T1-GE3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Наличие:
5 718 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 25,33₽
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SI2312BDS-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2394 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара