SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт
Цена от:
19,60 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 113+ 225+ 450+ 900+28,90 ₽ 25,97 ₽ 23,81 ₽ 22,08 ₽ 20,59 ₽Срок:В наличииНаличие:5 241Минимум:11Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 113+ 225+ 450+ 900+28,90 ₽ 25,97 ₽ 23,81 ₽ 22,08 ₽ 20,59 ₽Срок:В наличииНаличие:25Минимум:2Количество в заказ
Внешние склады
-
360+ 522+ 1044+ 5222+ 26091+24,36 ₽ 21,01 ₽ 20,48 ₽ 19,95 ₽ 19,60 ₽Срок:25 днейНаличие:41 555Минимум:Мин: 360Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание SI2319CDS-T1-GE3
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 3.04mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | Vishay |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.4 A |
| Package Type | SOT-23 |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Width | 1.4mm |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Height | 1.02mm |
| Maximum Drain Source Resistance | 108 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Pin Count | 3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13.6 nC @ 10 V |
| Transistor Material | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Вес, г | 0.05 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SI2319CDS-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 30453 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара