SI2365EDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.9A

Код товара: 232220

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI2365EDS-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
TO-236
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.9A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
P-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

20В

Ток стока макс.

5.9A

Сопротивление открытого канала

32 мОм

Мощность макс.

1.7Вт

Тип транзистора

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

36нКл

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

TO-236

Вес брутто

0.036 г.

Описание SI2365EDS-T1-GE3

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.9A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SI2365EDS-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.9A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
от 1 раб. дня
от 136
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.