SI2365EDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.9A

Код товара: 232220

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI2365EDS-T1-GE3
Описание Eng:
MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
В упаковке:
3000 шт
Корпус:
TO-236
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.9A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
P-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

20В

Ток стока макс.

5.9A

Сопротивление открытого канала

32 мОм

Мощность макс.

1.7Вт

Тип транзистора

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.

1В

Заряд затвора

36нКл

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

TO-236

Вес брутто

0.036 г.

Описание SI2365EDS-T1-GE3

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.9A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Разрешительная документация

Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SI2365EDS-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.9A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2480 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 320 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.