SI9435BDY-T1-E3, транзистор полевой p-канальный 30в 4.1a
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
Транзистор полевой P-канальный 30В 4.1A
Транзистор полевой P-канальный 30В 4.1A
Производитель:
Vishay
Артикул:
SI9435BDY-T1-E3
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOIC8
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка2500 шт
-
Вес брутто0.2 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Тип монтажа
Описание SI9435BDY-T1-E3
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | NRND |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Process Technology | TrenchFET |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4.1 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 42@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 16@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 16 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Typical Fall Time (ns) | 30 |
| Typical Rise Time (ns) | 14 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 42 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | No |
| Pin Count | 8 |
| Supplier Package | SOIC N |
| Standard Package Name | SOP |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 1.55(Max) |
| Package Length | 5(Max) |
| Package Width | 4(Max) |
| PCB changed | 8 |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.15 |
Полные аналоги
-
SI9435BDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOICVISHAYSOIC8
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара