Одиночные MOSFET транзисторы

36
Заряд затвора: 24нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (36)
AO4435 AO4435 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 10.5А 2Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 073 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
20 416 шт
Цена от:
от 9,76
AO4468 AO4468 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11.6А
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 713 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 10,47
FDD6685 FDD6685 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1715пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
386 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 61,79
-6% Акция
IRF820PBF IRF820PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.5А 50Вт, 3 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
753 шт

Внешние склады:
75 шт
Цена от:
от 48,07
-6% Акция
IRF830APBF IRF830APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 74Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
537 шт

Внешние склады:
570 шт
Аналоги:
13 398 шт
Цена от:
от 37,46
IRFD420PBF IRFD420PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 370мА, 1Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
HVM DIP
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
370мА
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
880 шт

Внешние склады:
880 шт
Цена от:
от 90,21
-6% Акция
IRFI820GPBF IRFI820GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.1A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
168 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 63,86
Акция
IRFR430ATRPBF IRFR430ATRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1.7 Ом
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
936 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 371 шт
Цена от:
от 40,79
Акция
STP19NF20 STP19NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 15А 0.15 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
72 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 89,81
FDP7030BL FDP7030BL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1760пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 030 шт
Цена от:
от 143,12
-6% Акция
IRF3708PBF IRF3708PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 62A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
62A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
87Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
2417пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
26 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 30,32
PHD9NQ20T,118 PHD9NQ20T,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 8.7A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
88Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
959пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
146 шт
Цена от:
от 99,43
SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 42,60
AON6414A AON6414A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13A 8-Pin DFN EP лента на катушке
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
8-DFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC5614P FDC5614P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
105 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
759пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC610PZ FDC610PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.9A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1005пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5614P FDD5614P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
759пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMA530PZ FDMA530PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET 2x2
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.8A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1070пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC86261P FDMC86261P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 2.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDS4435 FDS4435 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт (рекомендуемая замена: FDS4435BZ)
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1604пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
347 шт
Цена от:
от 22,02
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"