SIHB15N60E-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15A

Код товара: 232605

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIHB15N60E-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 600V 15A DPAK
Тип упаковки:
Bulk (россыпь)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

600В

Ток стока макс.

15A

Сопротивление открытого канала

280 мОм

Мощность макс.

180Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

78нКл

Входная емкость

1350пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

D2Pak (TO-263)

Вес брутто

1.35 г.

Описание SIHB15N60E-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SIHB15N60E-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
от 1 раб. дня
от 136
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.