Одиночные MOSFET транзисторы

₁₄

Заряд затвора: 78нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Surface Mount (3357)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (14)

IRFBE30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1А 125Вт, 3 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 077 шт

Внешние склады:

1 275 шт

Цена от:

от 88,36₽

Акция

IRFBF30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3.6А 125Вт, 3.7 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

3.7 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

172 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 139,26₽

-5% Акция

IRFIBE30GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

2.1A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

78 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 45,96₽

-5% Акция

IRFIBF30GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.9А 35Вт, 3.7 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

1.9A

Сопротивление открытого канала:

3.7 Ом

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

67 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 39,36₽

IRFPE30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

633 шт

Цена от:

от 158,99₽

FQP34N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

75 мОм

Мощность макс.:

180Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

3100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

IRFBE30SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

IRFBF30STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

3.7 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

172 шт

Цена от:

от 139,26₽

IRFPF30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

3.7 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

PH2520U,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

2.7 мОм

Мощность макс.:

62.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

950mВ

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

5850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SIE822DF-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 50A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PolarPAKВ®10-(S)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

3.4 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

4200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SIHB15N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

180Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SIHF15N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220 Full Pack

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

34Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

SIHP15N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

180Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"