SIHG20N50C-E3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A
Цена от:
84,57 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 25+ 75+ 125+ 225+145,01 ₽ 134,28 ₽ 126,37 ₽ 120,08 ₽ 114,56 ₽Срок:В наличииНаличие:589Минимум:3Количество в заказ
-
1+ 25+ 75+ 125+ 225+145,01 ₽ 134,28 ₽ 126,37 ₽ 120,08 ₽ 114,56 ₽Срок:В наличииНаличие:511Минимум:3Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 25+ 75+ 125+ 225+145,01 ₽ 134,28 ₽ 126,37 ₽ 120,08 ₽ 114,56 ₽Срок:В наличииНаличие:25Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
5+ 19+318,32 ₽ 303,16 ₽Срок:7 днейНаличие:20Минимум:Мин: 5Количество в заказ
-
10+ 45+ 89+ 460+129,70 ₽ 123,53 ₽ 121,47 ₽ 114,26 ₽Срок:7 днейНаличие:460Минимум:Мин: 10Количество в заказ
-
84+ 121+ 242+ 1209+ 6041+105,13 ₽ 90,66 ₽ 88,37 ₽ 86,09 ₽ 84,57 ₽Срок:25 днейНаличие:10 459Минимум:Мин: 84Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание SIHG20N50C-E3
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.27 ом при 10a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Крутизна характеристики, S | 6.4 |
| Корпус | to247 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SIHG20N50C-E3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
от 1 раб. дня
от 145 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара