SIHG20N50C-E3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A
Цена от:
112,44 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 25+ 75+ 125+ 250+147,84 ₽ 136,98 ₽ 128,94 ₽ 122,58 ₽ 117,00 ₽Срок:В наличииНаличие:650Минимум:3Количество в заказ
-
1+ 25+ 75+ 125+ 250+147,84 ₽ 136,98 ₽ 128,94 ₽ 122,58 ₽ 117,00 ₽Срок:В наличииНаличие:511Минимум:3Количество в заказ
Внешние склады
-
11+ 46+ 93+ 490+127,62 ₽ 121,50 ₽ 119,52 ₽ 112,44 ₽Срок:7 днейНаличие:490Минимум:Мин: 11Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание SIHG20N50C-E3
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.27 ом при 10a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Крутизна характеристики, S | 6.4 |
| Корпус | to247 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка SIHG20N50C-E3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 329 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 12 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара