SIHG20N50C-E3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A
Цена от:
108,34 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 25+ 75+ 125+ 225+137,13 ₽ 126,98 ₽ 119,50 ₽ 113,56 ₽ 108,34 ₽Срок:В наличииНаличие:996Минимум:3Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 25+ 75+ 125+ 225+137,13 ₽ 126,98 ₽ 119,50 ₽ 113,56 ₽ 108,34 ₽Срок:В наличииНаличие:25Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
5+321,34 ₽Срок:7 днейНаличие:7Минимум:Мин: 5Количество в заказ
-
10+ 42+ 85+ 460+129,70 ₽ 123,53 ₽ 121,47 ₽ 114,26 ₽Срок:7 днейНаличие:460Минимум:Мин: 10Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание SIHG20N50C-E3
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.27 ом при 10a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Крутизна характеристики, S | 6.4 |
| Корпус | to247 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SIHG20N50C-E3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара