SIR462DP-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 30В 30A
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Транзистор полевой N-канальный 30В 30A
Транзистор полевой N-канальный 30В 30A
Производитель:
Vishay
Артикул:
SIR462DP-T1-GE3
Документы:
Технические параметры
-
КорпусPowerPAKВ® SO-8
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание SIR462DP-T1-GE3
The SIR462DP-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high-side switch, server, VRM, POL and DC-to-DC conversion applications.
• 100% Rg tested
• 100% UIS tested
• Halogen-free
• -55 to 150°C Operating temperature range
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 19 А |
Тип корпуса | PowerPAK SO |
Максимальное рассеяние мощности | 4,8 Вт |
Тип монтажа | Surface Mount |
Ширина | 5.89мм |
Высота | 1.04мм |
Размеры | 4.9 x 5.89 x 1.04мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 4.9мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 20 ns |
Производитель | Vishay |
Типичное время задержки выключения | 25 ns |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 8 mΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
Число контактов | 8 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 20 нКл при 10 В, 8,8 нКл при 4,5 В |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 1155 пФ при 15 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Вес, г | 0.223 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара