SIR462DP-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A
Цена от:
45,21 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание SIR462DP-T1-GE3
The SIR462DP-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high-side switch, server, VRM, POL and DC-to-DC conversion applications.
• 100% Rg tested
• 100% UIS tested
• Halogen-free
• -55 to 150°C Operating temperature range
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 19 А |
| Тип корпуса | PowerPAK SO |
| Максимальное рассеяние мощности | 4,8 Вт |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Ширина | 5.89мм |
| Высота | 1.04мм |
| Размеры | 4.9 x 5.89 x 1.04мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 4.9мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 20 ns |
| Производитель | Vishay |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 8 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 20 нКл при 10 В, 8,8 нКл при 4,5 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1155 пФ при 15 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.223 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SIR462DP-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара