Одиночные MOSFET транзисторы

57
Ток стока макс.: 30A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (57)
-8% Акция
BUZ11_NR4941 BUZ11_NR4941 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 30А 75Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 598 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 72,72
-8% Акция
FQP30N06 FQP30N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
945пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
217 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 40,44
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
31Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
492 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 222 шт
Цена от:
от 37,74
-8% Акция
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30А 190Вт, 0.085 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
214Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
123нКл
Входная емкость:
2159пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 277 шт

Внешние склады:
23 256 шт
Цена от:
от 37,56
-7%
IRFP250PBF IRFP250PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30А 190Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
179 шт

Внешние склады:
90 шт
Цена от:
от 94,08
-8% Акция
IRLIZ44NPBF IRLIZ44NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 28А 38Вт, 0.022 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
364 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 192,78
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
1890пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 207 шт

Внешние склады:
4 243 шт
Цена от:
от 42,66
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27А 56Вт, 0.035 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 793 шт

Внешние склады:
437 шт
Цена от:
от 43,80
-8% Акция
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
190 шт

Внешние склады:
2 260 шт
Цена от:
от 50,58
-8% Акция
SIR426DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
41.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
1160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
222 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 35,46
STP36NF06L STP36NF06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
320 шт

Внешние склады:
1 040 шт
Цена от:
от 69,30
Акция
2SK3365 2SK3365 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30А 36Вт
Производитель:
Nippon Electric Comp. Ltd.
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
30A
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
8 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 39,18
BSC016N06NS BSC016N06NS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TDSON-8 FL
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
1.6 мОм
Мощность макс.:
139Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
71нКл
Входная емкость:
5200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
16 000 шт
Цена от:
от 57,36
FDMC7660DC FDMC7660DC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
2.2 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
76нКл
Входная емкость:
5170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 142,14
FDMC8010 FDMC8010 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
1.3 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
94нКл
Входная емкость:
5860пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 77,88
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
30A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
240 шт
Цена от:
от 456,96
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
214Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
123нКл
Входная емкость:
2159пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
8 727 шт
Цена от:
от 42,30
Акция
IRFR4105ZPBF IRFR4105ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
24.5 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
740пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 368 шт
Цена от:
от 110,52
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
92нКл
Входная емкость:
1870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 66,90
SI4164DY-T1-GE3 SI4164DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм
Мощность макс.:
6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
3545пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 208 шт
Цена от:
от 87,66
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"