SIRA10DP-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A

Код товара: 232735

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIRA10DP-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

30В

Ток стока макс.

60A

Сопротивление открытого канала

3.7 мОм

Мощность макс.

40Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

2.2В

Заряд затвора

51нКл

Входная емкость

2425пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

PowerPAKВ® SO-8

Вес брутто

0.139 г.

Описание SIRA10DP-T1-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SIRA10DP-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.