Одиночные MOSFET транзисторы

78
Корпус: PPAK SO-8
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (78)
SI7461DP-T1-E3 SI7461DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.6A
Сопротивление открытого канала:
14.5 мОм
Мощность макс.:
1.9Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
190нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 846 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 102,58
SI7145DP-T1-GE3 SI7145DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
413нКл
Входная емкость:
15660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 989 шт

Внешние склады:
5 097 шт
Цена от:
от 92,81
SIR426DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
41.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
1160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
515 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 46,53
SI7489DP-T1-GE3 SI7489DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
41 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
281 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 101,37
SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
290 шт
Аналоги:
20 шт
Цена от:
от 94,54
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 шт
Аналоги:
290 шт
Цена от:
от 145,23
SI7135DP-T1-GE3 SI7135DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
250нКл
Входная емкость:
8650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 840 шт
Цена от:
от 9,15
SI7137DP-T1-GE3 SI7137DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
1.95 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
585нКл
Входная емкость:
20000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7139DP-T1-GE3 SI7139DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
146нКл
Входная емкость:
4230пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7141DP-T1-GE3 SI7141DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
1.9 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
400нКл
Входная емкость:
14300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
5.2 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
135нКл
Входная емкость:
5125пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
1.6 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
625нКл
Входная емкость:
22000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7164DP-T1-GE3 SI7164DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
6.25 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
75нКл
Входная емкость:
2830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7174DP-T1-GE3 SI7174DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7190DP-T1-GE3 SI7190DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 18.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
18.4A
Сопротивление открытого канала:
118 мОм
Мощность макс.:
96Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2214пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7430DP-T1-E3 SI7430DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 26A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
64Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1735пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 26A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
64Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1735пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7431DP-T1-E3 SI7431DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 2.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
174 мОм
Мощность макс.:
1.9Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
135нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7431DP-T1-GE3 SI7431DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
200V
Ток стока макс.:
2.2A (Ta)
Сопротивление открытого канала:
174 mOhm @ 3.8A, 10V
Мощность макс.:
1.9W
Тип транзистора:
MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4V @ 250 µA
Заряд затвора:
135nC @ 10V
Тип монтажа:
Surface Mount
Si7434ADP-T1-RE3 Si7434ADP-T1-RE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250 В 12.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"