STB9NK60ZT4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7А 125Вт
Цена от:
296,04 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание STB9NK60ZT4
The STB9NK60ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.
• Improved ESD capability
• 100% Avalanche tested
• Very low intrinsic capacitance
• Extremely high dV/dt capability
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.95 ом при 3.5a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Крутизна характеристики, S | 5.3 |
| Корпус | d2pak |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…4.5 |
| Вес, г | 2.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STB9NK60ZT4 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7А 125Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
от 1 раб. дня
от 136 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара