Одиночные MOSFET транзисторы

16
Сопротивление открытого канала: 950 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
-8% Акция
STP9NK60Z STP9NK60Z Транзистор полевой 600В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1110пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
254 шт

Внешние склады:
80 шт
Цена от:
от 94,44
-8% Акция
STP9NK60ZFP STP9NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7А 30Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1110пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
191 шт

Внешние склады:
370 шт
Цена от:
от 64,20
STD7N60M2 STD7N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.8нКл
Входная емкость:
271пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 71,46
STD8N80K5 STD8N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.5нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 252,12
STF8N80K5 STF8N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.5нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
88 шт
Цена от:
от 141,12
IPA60R950C6XKSA1 IPA60R950C6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
26Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.4A TO252
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
SPA04N60C3 SPA04N60C3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 4.5А 31Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
31Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SPB04N60C3ATMA1 SPB04N60C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 4.5A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPP04N60C3XKSA1 SPP04N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 4.5A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB9NK60ZT4 STB9NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7А 125Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STF7N60M2 STF7N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
20Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.8нКл
Входная емкость:
271пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STP7N60M2 STP7N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 0,86Ом 60Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.8нКл
Входная емкость:
271пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP8N80K5 STP8N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.5нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU7N60M2 STU7N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.8нКл
Входная емкость:
271пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU8N80K5 STU8N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.5нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"