Одиночные MOSFET транзисторы

16
Сопротивление открытого канала: 950 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
Акция
STP9NK60Z STP9NK60Z Транзистор полевой 600В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1110пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
254 шт

Внешние склады:
110 шт
Цена от:
от 102,62
Акция
STP9NK60ZFP STP9NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7А 30Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1110пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
191 шт

Внешние склады:
8 шт
Цена от:
от 135,33
STD7N60M2 STD7N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.8нКл
Входная емкость:
271пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 70,19
STD8N80K5 STD8N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.5нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 201,11
STF7N60M2 STF7N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
20Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.8нКл
Входная емкость:
271пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
850 шт
Цена от:
от 128,00
STF8N80K5 STF8N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.5нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 106,86
Акция
STP7N60M2 STP7N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 0,86Ом 60Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.8нКл
Входная емкость:
271пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
950 шт
Цена от:
от 110,65
IPA60R950C6XKSA1 IPA60R950C6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
26Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.4A TO252
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
SPA04N60C3 SPA04N60C3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 4.5А 31Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
31Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SPB04N60C3ATMA1 SPB04N60C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 4.5A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPP04N60C3XKSA1 SPP04N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 4.5A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB9NK60ZT4 STB9NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7А 125Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STP8N80K5 STP8N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.5нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU7N60M2 STU7N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.8нКл
Входная емкость:
271пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU8N80K5 STU8N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.5нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"