STP7N80K5, Транзистор полевой N-канальный 800В 6A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Транзистор полевой N-канальный 800В 6A
Транзистор полевой N-канальный 800В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STP7N80K5
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто3.5 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание STP7N80K5
N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 10.4мм |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | STMicroelectronics |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 А |
| Package Type | TO-220 |
| Maximum Power Dissipation | 110 Вт |
| Series | MDmesh K5, SuperMESH5 |
| Mounting Type | Монтаж на плату в отверстия |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Width | 4.6мм |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Height | 15.75mm |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.2 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Pin Count | 3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13.4 nC @ 10 V |
| Transistor Material | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара