Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1887)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (51)

Акция

IRF5802TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 0.9А 2Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TSOP-6

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

900мА

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

6.8нКл

Входная емкость:

88пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 922 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 18,18₽

STB6NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 110Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

905пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

726 шт

Внешние склады:

1 250 шт

Цена от:

от 75,18₽

STD6N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

525В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

4 501 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 35,46₽

Акция

STL7N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 42Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

PowerFLAT 5x6

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

42Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

13.4нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

235 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 58,80₽

STP6NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 104Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

905пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 519 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 55,56₽

STP6NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 32Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

905пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 200 шт

Внешние склады:

1 525 шт

Цена от:

от 38,04₽

FCP4N60 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 3.9 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.9A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

16.6нКл

Входная емкость:

540пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDY100PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 350 мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-89

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

350мА

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

446мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

1.4нКл

Входная емкость:

100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD5N20LTM Транзистор полевой N-канальный 200В 3.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.8A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

6.2нКл

Входная емкость:

325пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD6N50CTM Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 4.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQPF8N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.5А 48Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

7.5A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1255пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9510PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4А 20Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

43Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.7нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9510SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.7нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9510STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.7нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC40APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 125Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1036пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFBC40ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1036пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC40ASTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1036пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC40ASTRRPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1036пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC40LCPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 6.2 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

39нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFBC40PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 125Вт, 1.2 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.66633 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"