Одиночные MOSFET транзисторы

51
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (51)
-8% Акция
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 0.9А 2Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSOP-6
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
900мА
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
6.8нКл
Входная емкость:
88пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 887 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Цена от:
от 13,26
-8% Акция
IRF9510PBF IRF9510PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4А 20Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
423 шт

Внешние склады:
900 шт
Цена от:
от 42,18
-7%
IRF9510SPBF IRF9510SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
300 шт

Внешние склады:
150 шт
Цена от:
от 64,44
-7%
IRFBC40APBF IRFBC40APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 125Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1036пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 022 шт

Внешние склады:
3 432 шт
Цена от:
от 70,02
-7%
IRFBC40PBF IRFBC40PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 125Вт, 1.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
686 шт

Внешние склады:
22 000 шт
Цена от:
от 70,44
-7% Акция
IRFIBC40GPBF IRFIBC40GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.5А 40Вт, 1.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
59 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 39,84
-8% Акция
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1.1А 3.1Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
810 шт

Внешние склады:
35 900 шт
Аналоги:
10 120 шт
Цена от:
от 29,16
-8% Акция
IRFPE50PBF IRFPE50PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 7.8А 190Вт, 1.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
7.8A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
200нКл
Входная емкость:
3100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
139 шт

Внешние склады:
15 298 шт
Цена от:
от 175,14
-7%
IRFR9110TRPBF IRFR9110TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 066 шт

Внешние склады:
24 000 шт
Цена от:
от 40,74
-8% Акция
SI2325DS-T1-E3 SI2325DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
530мА
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 543 шт

Внешние склады:
27 546 шт
Аналоги:
10 028 шт
Цена от:
от 28,14
STB6NK60ZT4 STB6NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 110Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
905пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 484 шт

Внешние склады:
2 100 шт
Цена от:
от 62,16
-8% Акция
STD6N52K3 STD6N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
525В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 501 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 30,72
Акция
STL7N80K5 STL7N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 42Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13.4нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
235 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 55,98
STP6NK60Z STP6NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 104Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
905пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 438 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 67,44
-8% Акция
STP6NK60ZFP STP6NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 32Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
905пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
830 шт

Внешние склады:
68 150 шт
Цена от:
от 30,66
FDY100PZ FDY100PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 350мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
350мА
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
446мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.4нКл
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 1 103,16
-7% Акция
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1036пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
31 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 38,76
IRFBC40STRLPBF IRFBC40STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 276 шт
Цена от:
от 128,46
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 700мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
700мА
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
220 шт
Цена от:
от 107,58
SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
530мА
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 028 шт
Аналоги:
29 089 шт
Цена от:
от 27,78
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"