STW45NM60, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 45A
Цена от:
740,22 руб.
Технические параметры
Описание STW45NM60
MOSFET, N, TO-247; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 600V; Current, Id Cont: 45A; Resistance, Rds On: 0.11ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 4V; Case Style: TO-247; Termination Type: Through Hole; Case Style, Alternate: SOT-249; Charge, Gate N-channel: 134nC; Current, Idm Pulse: 180A; Pins, No. of: 3; Power, Pd: 417W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V: 0.11ohm; Temperature, Tj Max: 150°C; Temperature, Tj Min: -55°C; Transistors, No. of: 1; Voltage, Rds Measurement: 10V; Voltage, Vds: 650V; Voltage, Vds Max: 650V; Voltage, Vgs Rds N Channel: 10V; Voltage, Vgs th Min: 3V
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 45 А, Сопротивление открытого канала (мин) 110 мОм
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 45 А |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Максимальное рассеяние мощности | 417 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 5.15мм |
| Высота | 20.15мм |
| Размеры | 15.75 x 5.15 x 20.15мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 15.75мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 30 нс |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Серия | MDmesh |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 110 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 600 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 96 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 3800 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| Вес, г | 7.5 |