STW45NM50, Транзистор полевой N-канальный 500В 45А 417Вт
MOSFET N-CH 500V 45A TO-247, 417W
Транзистор полевой N-канальный 500В 45А 417Вт
Транзистор полевой N-канальный 500В 45А 417Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STW45NM50
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-247
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка30 шт
-
Вес брутто6.57 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание STW45NM50
N-Channel MDmesh™, 500V, STMicroelectronics
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 45 А |
Тип корпуса | TO-247 |
Максимальное рассеяние мощности | 417 W |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Ширина | 5.15мм |
Высота | 20.15мм |
Размеры | 15.75 x 5.15 x 20.15мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 15.75мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 26.5 ns |
Производитель | STMicroelectronics |
Типичное время задержки выключения | 21,6 нс |
Серия | MDmesh |
Минимальная рабочая температура | -65 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 100 мОм |
Максимальное напряжение сток-исток | 500 В |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 87 нКл при 10 В |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 3700 пФ при 25 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
Вес, г | 7.5 |
Сообщите мне о поступлении товара