IPA60R950C6XKSA1, Транзистор полевой N-канальный 600В 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Транзистор полевой N-канальный 600В 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Код товара: 302692
Дата обновления: 26.11.2022 07:15
Доставка IPA60R950C6XKSA1 , Транзистор полевой N-канальный 600В 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Корпус
    TO-220F
  • Нормоупаковка
    500 шт
  • Вес брутто
    3.5 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
  • Ток стока макс.
  • Сопротивление открытого канала
  • Мощность макс.
  • Тип транзистора
  • Пороговое напряжение включения макс.
  • Заряд затвора
  • Входная емкость
  • Тип монтажа

Описание IPA60R950C6XKSA1

Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET

Maximum Operating Temperature+150 °C
Number of Elements per Chip1
Length10.65mm
Transistor ConfigurationSingle
BrandInfineon
Maximum Continuous Drain Current4.4 A
Package TypeTO-220FP
Maximum Power Dissipation26 W
SeriesCoolMOS C6
Mounting TypeThrough Hole
Minimum Operating Temperature-55 °C
Width4.9mm
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage2.5V
Height16.15mm
Maximum Drain Source Resistance950 mΩ
Maximum Drain Source Voltage600 V
Pin Count3
Typical Gate Charge @ Vgs13 nC @ 10 V
Transistor MaterialSi
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Forward Diode Voltage0.9V
Вес, г2