Одиночные MOSFET транзисторы

50
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (50)
IPP90R340C3XKSA1 IPP90R340C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 15А 208Вт, CoolMOS
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
340 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
94нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
181 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 338,05
IPW60R070C6FKSA1 IPW60R070C6FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 53A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
53A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
391Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
3800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
120 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 432,64
IPW60R099CPFKSA1 IPW60R099CPFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 31А 255Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
99 мОм
Мощность макс.:
255Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
60 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 462,21
Акция
IPW90R120C3XKSA1 IPW90R120C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 36A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
417Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
6800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
101 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1 085,05
-6% Акция
NDS0610 NDS0610 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 120мА, 0.3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120мА
Сопротивление открытого канала:
10 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
79пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 019 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 3,92
-6% Акция
ZVP2110GTA ZVP2110GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 310мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
310мА
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
148 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 59,93
ZVP3310A ZVP3310A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.14А 0.625Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
140мА
Сопротивление открытого канала:
20 Ом
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
318 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 62,02
AOD403 AOD403 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
5300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 41,74
FCH041N60E FCH041N60E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 77A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
77A
Сопротивление открытого канала:
41 мОм
Мощность макс.:
592Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
380нКл
Входная емкость:
13700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 шт
Цена от:
от 2 748,82
-6% Акция
IPW90R340C3FKSA1 IPW90R340C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 15A 340мОм TO247-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
340 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
94нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
13 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 334,05
ZVP2106A ZVP2106A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.28A автомобильного применения 3-Pin E-Line
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
280мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
280 шт
Цена от:
от 130,05
AO4425 AO4425 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 38В 14A 8-Pin SOIC
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
38В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
3800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BS250P BS250P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 45В 230мА, 0.7Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
45В
Ток стока макс.:
230мА
Сопротивление открытого канала:
14 Ом
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Through Hole
CSD18537NKCS CSD18537NKCS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Through Hole
CSD18537NQ5AT CSD18537NQ5AT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-6% Акция
FCD380N60E FCD380N60E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 106Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
106Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FCD600N60Z FCD600N60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.4A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FCD900N60Z FCD900N60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
720пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FCPF190N60E FCPF190N60E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20.6A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
82нКл
Входная емкость:
3175пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CPXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 23A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-FP
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
34Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
2540пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"