FDD10AN06A0, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 50 А
* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта
- Производитель
ON Semiconductor
Описание
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 50 А
Документация
Код товара: 305357
Дата обновления: 20.05.2018 15:00
| Склад | Цена | Наличие | Срок | Кратность | Минимум | Количество | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Промэлектроника | ||||||||||
| Нет в наличии | ||||||||||
| Склад | Цена | Наличие | Срок | Кратность | Минимум | Количество | ||||
| Удаленные склады | ||||||||||
| 10 000 шт. | 10 дн. | 2 500 шт. | 2 500 шт. | ||||||
| 10 000 шт. | 14 дн. | 2 500 шт. | 2 500 шт. | ||||||
| 25 000 шт. | 15 дн. | 2 500 шт. | 2 500 шт. | ||||||
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Корпус
DPAK/TO252Нормоупаковка
2500 шт.Напряжение исток-сток макс.
60 ВТок стока макс.
11 А, 50 АСопротивление открытого канала
10.5 мОмМощность макс.
135 ВтТип транзистора
MOSFET N-канальный, металл-оксидОсобенности
СтандартныйПороговое напряжение включения макс.
4 ВЗаряд затвора
37 нКлВходная емкость
1840 пФТип монтажа
ПоверхностныйНаличие в магазинах
Колмогорова, 70
0 шт.Интернет-магазин
45000 шт.Поделиться:
