FDD10AN06A0, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 50 А
- Производитель
ON Semiconductor
Описание
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 50 А
Документация
Код товара: 305357
Дата обновления: 22.02.2019 13:00
Склад | Цена | Наличие | Срок поставки | Кратность | Минимум | Количество | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Промэлектроника | ||||||||||
Нет в наличии | ||||||||||
Склад | Цена | Наличие | Срок | Кратность | Минимум | Количество | ||||
Внешние склады | ||||||||||
| 22 500 шт. | 15 раб. дн. | 2 500 шт. | 2 500 шт. | ||||||
| 15 000 шт. | 18 раб. дн. | 2 500 шт. | 2 500 шт. | ||||||
| 12 500 шт. | 28 раб. дн. | 2 500 шт. | 2 500 шт. |
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Корпус
D-Pak(TO-252AA)Нормоупаковка
2500 шт.Напряжение исток-сток макс.
60VТок стока макс.
11A (Ta), 50A (Tc)Сопротивление открытого канала
10.5 mOhm @ 50A, 10VМощность макс.
135WТип транзистора
MOSFET N-Channel, Metal OxideОсобенности
StandardПороговое напряжение включения макс.
4V @ 250 µAЗаряд затвора
37nC @ 10VВходная емкость
1840pF @ 25VТип монтажа
Surface MountНаличие в магазинах
Колмогорова, 70
0 шт.Интернет-магазин
50000 шт.Поделиться: