Одиночные MOSFET транзисторы

16
Мощность макс.: 135Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
-8% Акция
FQP11N40C FQP11N40C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10.5А 0.43 Ом, 135Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
530 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1090пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
56 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 93,78
IRLR8743TRPBF IRLR8743TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
4880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 322 шт

Внешние склады:
9 971 шт
Цена от:
от 46,08
FDB2572 FDB2572 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 29A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
54 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 159,96
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
1840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 325,80
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
1874пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 349,74
FDD2572 FDD2572 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 29A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
54 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 111,96
FDD3672 FDD3672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 44А 28 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 127 шт
Цена от:
от 64,14
IRLU8743PBF IRLU8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
4880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
11 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 100,20
FDB16AN08A0 FDB16AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 58A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1857пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP16AN08A0 FDP16AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 58A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1857пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP2572 FDP2572 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 29A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
54 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP3672 FDP3672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 105В 41A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
105В
Ток стока макс.:
5.9A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
1670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP65N06 FDP65N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 65A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
65A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
2170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQB9N50CTM FQB9N50CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1030пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRLR8743PBF IRLR8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
4880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
22 586 шт
Цена от:
от 8,27
Акция
STL130N8F7 STL130N8F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 130А 0.0046 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
130A
Сопротивление открытого канала:
3.6 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
96нКл
Входная емкость:
6340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4598 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"