RJP30H1DPD, Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт

Код товара: 316057

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
RJP30H1DPD
Производитель:
Описание Eng:
Bipolar transistor IGBT, 360 V, 30 A, 40 W
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
300 шт.
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
360V
Макс. ток коллектора:
30A
Макс. рассеиваемая мощность:
40W

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

360V

Макс. ток коллектора

30A

Макс. рассеиваемая мощность

40W

Корпус

DPAK/TO-252AA

Вес брутто

0.38 г.

Описание RJP30H1DPD

Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка RJP30H1DPD , Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 173
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.