RJP63G4DPE, Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А
Bipolar transistor IGBT, 630 V, 40 A
Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А
Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Артикул:
RJP63G4DPE
Технические параметры
-
КорпусD2Pak (TO-263)
-
Тип упаковкиCut Tape (CT)
-
Нормоупаковка100 шт.
-
Вес брутто1.35 г.
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара