GT35J321, Биполярный транзистор IGBT, 75 Вт, 600 В, 20 А (Recommended replacement: GT30J341)
Obsolete
Bipolar transistor IGBT, 75 W, 600 V, 20 A
Биполярный транзистор IGBT, 75 Вт, 600 В, 20 А (Recommended replacement: GT30J341)
Биполярный транзистор IGBT, 75 Вт, 600 В, 20 А (Recommended replacement: GT30J341)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
GT35J321
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-3PF
-
Тип упаковкиBulk (россыпь)
-
Нормоупаковка100 шт.
-
Вес брутто6.76 г.
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара