GT50J325, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Обновлен дата код. Проверено.
Bipolar transistor IGBT, 600 V, 50 A, 240 W
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
GT50J325
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO264
-
Тип упаковкиPalette (палетта)
-
Нормоупаковка100 шт.
-
Вес брутто10 г.
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара