BSZ088N03MSGATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A 8-Pin TSDSON EP

Код товара: 346956

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
BSZ088N03MSGATMA1
Производитель:
Описание Eng:
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP
Нормоупаковка:
5000 шт
Корпус:
PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

30В

Ток стока макс.

11A

Сопротивление открытого канала

8 мОм

Мощность макс.

35Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

27нКл

Входная емкость

2100пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Описание BSZ088N03MSGATMA1

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A 8-Pin TSDSON EP

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка BSZ088N03MSGATMA1 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A 8-Pin TSDSON EP в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.