SI1013R-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 0.35A 3-Pin SC-75A лента на катушке
Цена от:
22,38 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание SI1013R-T1-GE3
The SI1013R-T1-GE3 is a 1.8VGS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
• 2000V Gate-source ESD protected
• High-side switching
• Low ON-resistance
• Low threshold
• 14ns Fast switching speed
• Halogen-free
• Ease in driving switches
• Low offset voltage
• Low-voltage operation
• High-speed circuits
• Low battery voltage operation
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-416 |
| Рассеиваемая Мощность | 150мВт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | -20В |
| Непрерывный Ток Стока | -350мА |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.8Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | -1.8В |
| Пороговое Напряжение Vgs | -450мВ |
| Вес, г | 0.05 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SI1013R-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 0.35A 3-Pin SC-75A лента на катушке
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 139 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара