SI1013R-T1-GE3, Транзистор полевой P-канальный 20В 0.35A 3-Pin SC-75A лента на катушке
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
Транзистор полевой P-канальный 20В 0.35A 3-Pin SC-75A лента на катушке
Транзистор полевой P-канальный 20В 0.35A 3-Pin SC-75A лента на катушке
Производитель:
Vishay
Артикул:
SI1013R-T1-GE3
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSC-75
-
Нормоупаковка3000 шт.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Тип монтажа
Описание SI1013R-T1-GE3
The SI1013R-T1-GE3 is a 1.8VGS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
• 2000V Gate-source ESD protected
• High-side switching
• Low ON-resistance
• Low threshold
• 14ns Fast switching speed
• Halogen-free
• Ease in driving switches
• Low offset voltage
• Low-voltage operation
• High-speed circuits
• Low battery voltage operation
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-416 |
| Рассеиваемая Мощность | 150мВт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | -20В |
| Непрерывный Ток Стока | -350мА |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.8Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | -1.8В |
| Пороговое Напряжение Vgs | -450мВ |
| Вес, г | 0.05 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара