FQP50N06, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 120Вт
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
103,03 руб.
-
1+ 16+ 31+ 50+ 150+132,98 ₽ 122,74 ₽ 114,61 ₽ 107,97 ₽ 103,03 ₽Срок:В наличииНаличие:264Минимум:3Количество в заказ
Технические параметры
Описание FQP50N06
FQP50N06 является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 60В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология была специально разработана для минимизации сопротивления в активном состоянии и обеспечения превосходных коммутационных характеристик и стойкости к высоким импульсам энергии в лавинном и коммутационном режимах. Это устройство хорошо подходит для высокоэффективных импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности и электронного балласта на базе полумостовой топологии. Это устройство хорошо подходит для низковольтных устройств вроде DC-DC преобразователей, высокоэффективного коммутационного оборудования для портативных и устройств с питанием от батареи. Этот продукт является универсальным и подходит для различных применений.
• Низкий заряд затвора
• Лавинное тестирование 100%
• Улучшенная характеристика dv/dt
• Улучшение потерь коммутации
• Более низкие потери проводимости
• Максимальная температура перехода 175°C
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.022 ом при 25a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 120 |
| Крутизна характеристики, S | 40 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5 |
| Вес, г | 2.5 |
