Одиночные MOSFET транзисторы

49
Ток стока макс.: 50A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (49)
AOD4184A AOD4184A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 25Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
1 471 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 21,66
STP55NF06 STP55NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55А 150Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 200 шт

Внешние склады:
4 795 шт
Цена от:
от 41,50
Акция
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
25.2 мОм
Мощность макс.:
136Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 018 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 94,26
Акция
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 50А 300Вт, 0.04 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
234нКл
Входная емкость:
4057пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
808 шт

Внешние склады:
700 шт
Цена от:
от 121,10
STB55NF06T4 STB55NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 110Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
670 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 73,02
IRFZ44PBF IRFZ44PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 150Вт, 0.028 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
452 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 79,12
STP55NF06FP STP55NF06FP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
427 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 71,47
FQP50N06 FQP50N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 120Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
1540пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
247 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 100,39
P2610ADG P2610ADG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 50А 51Вт
Производитель:
NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
50A
Мощность макс.:
51 Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
239 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 55,29
Акция
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 99А 143Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
6.8 мОм
Мощность макс.:
143Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
49нКл
Входная емкость:
3779пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
211 шт

Внешние склады:
3 080 шт
Цена от:
от 40,02
IRFP260MPBF IRFP260MPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 50А 300Вт, 0.04 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
234нКл
Входная емкость:
4057пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
171 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 168,73
Акция
IRFZ44RPBF IRFZ44RPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
135 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 67,04
IRLZ44PBF IRLZ44PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
3300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 215,28
Акция
RFP50N06 RFP50N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 0.022 Ом 131Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
131Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
2020пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
80 шт
Цена от:
от 235,21
2SK3480-AZ 2SK3480-AZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В MP-25/TO-220
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A TDSON-8
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TDSON-8/ SuperSO8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18537NKCS CSD18537NKCS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Through Hole
CSD18537NQ5AT CSD18537NQ5AT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB2710 FDB2710 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
42.5 мОм
Мощность макс.:
260Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
101нКл
Входная емкость:
7280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP150N10A_F102 FDP150N10A_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
91Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1440пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"