Одиночные MOSFET транзисторы

₁₉

Мощность макс.: 120Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1873)
Surface Mount (3379)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (19)

FQP27P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 27А 120Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

150 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 118,23₽

FQP50N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 120Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

1540пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

272 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 105,67₽

IRLR2908TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

1890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

835 шт

Внешние склады:

4 243 шт

Цена от:

от 44,77₽

FQAF13N80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8А 120Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3PF

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

750 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

88нКл

Входная емкость:

3500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

300 шт

Цена от:

от 394,09₽

Акция

FQP12P20 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

11.5A

Сопротивление открытого канала:

470 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

23 шт

Внешние склады:

30 шт

Цена от:

от 66,88₽

IRLR3915TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

92нКл

Входная емкость:

1870пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 000 шт

Цена от:

от 70,28₽

NTB25P06T4G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 27.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

27.5A

Сопротивление открытого канала:

82 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

1680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

800 шт

Цена от:

от 184,60₽

STD100N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

4369пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

35 000 шт

Цена от:

от 65,77₽

2SK1461 Полевой транзистор, N-канальный, 900В 5А 120Вт

Производитель:

Sanyo Semiconductors

Корпус:

TO-3P

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Сообщить о поступлении

2SK2676 Транзистор полевой N-канальный 900В 10А 120Вт

Производитель:

Shindengen

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

10A

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Сообщить о поступлении

FQAF11N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3PF

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.1 Ом

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

3290пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP9P25 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 9.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

9.4A

Сопротивление открытого канала:

620 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1180пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPT60R125G7XTMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A 120Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20А

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3007STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 62A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

62A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

12.6 мОм @ 48А, 10В

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

130нКл @ 10В

Входная емкость:

3270пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFP044NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 53A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

53A

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

1500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR2908PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30А 120Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

1890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

5 078 шт

Цена от:

от 34,34₽

IRLR2908TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

1890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

5 078 шт

Цена от:

от 31,56₽

IRLU3915PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

92нКл

Входная емкость:

1870пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STD80N6F6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

122нКл

Входная емкость:

7480пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43524 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"