IRF9630PBF, Транзистор полевой P-канальный 200В 6.8А 74Вт, 0.8 Ом
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Транзистор полевой P-канальный 200В 6.8А 74Вт, 0.8 Ом
Транзистор полевой P-канальный 200В 6.8А 74Вт, 0.8 Ом
Производитель:
Vishay
Артикул:
IRF9630PBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220AB
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто2.83 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRF9630PBF
The IRF9630PBF is a -200V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, third generation HEXFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Easy to parallel
• Simple drive requirements
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -6.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.8 ом при-3.9a, -10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 75 |
| Крутизна характеристики, S | 2.2 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | -4 |
| Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара