Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)

Тип монтажа

Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)
Through Hole(1494)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (24)

Акция

STN1NF10 Транзистор полевой N-канальный 100В 1A Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 105пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

57 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 23,33₽

DMP1555UFA-7B Транзистор полевой P-канальный 12В 0.2A 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: X2-DFN0806-3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 0.84нКл Входная емкость: 55.4пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDPF10N60ZUT Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1980пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FDPF12N50UT Полевой транзистор, N-канальный, 500В 10А 42Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1395пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQB9N50CTM Транзистор полевой N-канальный 500В 9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD5N15TM Полевой транзистор N-канальный 150В 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 230пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF620PBF Транзистор полевой N-канальный 200В 5.2А 50Вт, 0.8 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF620SPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 5.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9630PBF Транзистор полевой P-канальный 200В 6.8А 74Вт, 0.8 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9630SPBF Транзистор полевой P-канальный 200В 6.5A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9630STRLPBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 6.5 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFD220PBF Транзистор полевой N-канальный 200В 0.8А 1.3Вт, 0.8 Ом Производитель: Vishay Корпус: HVMDIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 800мА Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI620GPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFI9630GPBF Транзистор полевой P-канальный 200В 4.3A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR220PBF Транзистор полевой N-канальный 200В 4.8A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 4.8A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR220TRPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 4.8A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 4.8A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFU220PBF Транзистор полевой N-канальный 200В 4.8А 42Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 4.8A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL620PBF Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.2 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL620SPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 5.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL620STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 5.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"